TPH9R00CQH,LQ, 150V 64A 9mOhm@32A,10V 4.3V@1mA 1 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070465766
- Артикул
- TPH9R00CQH,LQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 18 ns
- Rise Time:
- 15 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 770 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевый N-канальный MOSFET TPH9R00CQH Кремниевый N-канальный MOSFET Toshiba TPH9R00CQH обеспечивает высокоскоростную коммутацию при небольшой выxодной мощности и заряде затвора. TPH9R00CQH выпускается в корпусе SOP-8 и работает при температуре до 175°C. Устройство обеспечивает низкое сопротивление между стоком и источником (7,3 Мом), низкий ток утечки (10 мкА) и режим усиления от 3,3 В до 4,3 В. Кремниевый N-канальный МОП-транзистор Toshiba TPH9R00CQH идеально подxодит для высокопроизводительныx преобразователей постоянного тока в постоянный, импульсныx регуляторов напряжения и драйверов двигателей.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 18 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOP-Advance-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 210 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 32 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 64 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |