TPH9R00CQ5,LQ, MOSFETs 150V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 9mohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022579592
- Артикул
- TPH9R00CQ5,LQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 18 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 15 ns
Цена по запросу
(от 980 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 18 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Структура | MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 210 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 32 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 64 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9мОм |