TPH6R30ANL,L1Q(M, Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin SOP Advance T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022165946
- Артикул
- TPH6R30ANL,L1Q(M
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 110 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 100V 66A с 8-контактным разъемом SOP Advance T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 5 |
| Package Length | 5 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOP Advance |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Rise Time (ns) | 7 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 27@4.5V|55@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3300@50V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 6300@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |