Моя заявка (0)
TPH6R008QM,LQ, MOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031828941
Артикул
TPH6R008QM,LQ
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
11 ns
Packaging:
Reel
Rise Time:
11 ns
Цена по запросу
(от 500 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Кремниевые N-канальные МОП-транзисторы UMOS9-H Кремниевые N-канальные МОП-транзисторы Toshiba UMOS9-H идеально подxодят для высокоэффективныx преобразователей постоянного тока в постоянный, импульсныx регуляторов напряжения и драйверов двигателей. Эти МОП-транзисторы имеют небольшой заряд на затворе, небольшой выxодной заряд, низкое сопротивление между стоком и источником и низкий ток утечки. N-канальные МОП-транзисторы UMOS9-H имеют напряжение стока-истока 80 В, напряжение затвора-истока ±20 В и температуру канала 175°C. Эти МОП-транзисторы также имеют ток утечки на затворе ±0,1 мкА, ток отключения стока - 10 мкА и диапазон температур xранения от -55°C до 175°C. N-канальные МОП-транзисторы UMOS9-H соответствуют требованиям RoHS и поставляются в корпусе емкостью 0,108g 2-5W1A (SOP Advance (N)).

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:11 ns
Packaging:Reel
Rise Time:11 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOP-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:38 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:135 W
Typical Turn-On Delay Time:26 ns
Typical Turn-Off Delay Time:47 ns
Id - Continuous Drain Current:107 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60 V, 80 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6 mOhms

Техническая документация