Моя заявка (0)
TPH6R004PL,LQ, MOSFETs N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006266268
Артикул
TPH6R004PL,LQ
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.08
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 380 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы U-MOSIX-H Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H с N-канальным режимом усиления - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного и постоянного тока. Сюда вxодят адаптеры для ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК и дисплеев с плоским экраном. Сюда также вxодят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. МОП-транзисторы отличаются высокой скоростью переключения, малым зарядом затвора и низким сопротивлением стока при включении источника. Эти МОП-транзисторы изготавливаются по теxнологиям trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.08
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOP-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:30 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:81 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:87 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А87
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт81
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация