TPH6400ENH,L1Q(M, Power MOSFET, N Channel, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012534922
- Артикул
- TPH6400ENH,L1Q(M
- Бренд
- Toshiba
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 640 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 200V 21A с 8-контактным разъемом SOP Advance T/R
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | SOP ADVANCE |
| Rad Hardened | No |
| Power Dissipation | 57Вт |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 200(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 21(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Drain Source On State Resistance | 0.054Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Непрерывный Ток Стока | 21А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 57 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.054 Ом |