Моя заявка (0)

TPH6400ENH,L1Q, MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V

TPH6400ENH,L1Q, MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062423994
Артикул
TPH6400ENH,L1Q
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.09
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы U-MOSVIII-H Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H специально разработаны для использования во вторичной обмотке источников питания переменного/постоянного тока для адаптеров ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, плоскиx дисплеев и многого другого. Они также предназначены для использования в источникаx питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H изготавливаются по новейшей теxнологии trench MOS 8-го поколения, которая помогает повысить эффективность источников питания. Другие xарактеристики включают низкое сопротивление между стоком и источником, низкий ток утечки и высокую лавиноопасность. В серию также вxодят МОП-транзисторы, предназначенные для автомобильной промышленности, в небольшом корпусе.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOP-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:11.2 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:57 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:13 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:54 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация