TPH4R50ANH,L1Q, MOSFETs U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062423966
- Артикул
- TPH4R50ANH,L1Q
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.09
- Длина
- 5 mm
- Серия
- TPH4R50ANH
- Высота
- 0.95 mm
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.09 |
| Длина | 5 mm |
| Серия | TPH4R50ANH |
| Высота | 0.95 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 13 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOP-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 58 nC |
| Время нарастания | 9.6 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 78 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 93 A |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVIII-H |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 52 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |