Моя заявка (0)
TPH4R008NH1,LQ(M, SOP MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017682714
Артикул
TPH4R008NH1,LQ(M
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.23
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
170Вт
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 49 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.23
Channel TypeN Channel
Power Dissipation170Вт
СтруктураMOSFET
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.0033Ом
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока116А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораSOP
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт170
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0033 Ом