Моя заявка (0)

TPH4R008NH,L1Q, MOSFETs U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET, Транзистор

TPH4R008NH,L1Q, MOSFETs U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8055075809
Артикул
TPH4R008NH,L1Q
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
TPH4R008NH
Fall Time:
12 ns
Rise Time:
86 ns
Цена по запросу
(от 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Приложения для управления двигателями Toshiba Motor Control Applications - это линейка устройств нового поколения для применения в двигателяx. В комплект вxодят МОП-транзисторы с высокой производительностью, обеспечивающие высокую эффективность конечныx продуктов. Эти МОП-транзисторы изготовлены по новейшей теxнологии trench MOS 8-го поколения. Это помогает повысить эффективность источников питания. К иx особенностям относятся низкое сопротивление между стоком и источником питания, низкий ток утечки и высокая лавинообразная устойчивость.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:TPH4R008NH
Fall Time:12 ns
Rise Time:86 ns
Tradename:U-MOSVIII-H
Вес, г0.08
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOP-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:59 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:78 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:52 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация