TPH4R003NL,L1Q(M,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 68 A, 0.0034 ohm, SOP Advance, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637634
- Артикул
- TPH4R003NL,L1Q(M
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 30V 68A с 8-контактным разъемом SOP Advance T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.07 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 5 |
| Package Length | 5 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOP Advance |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Process Technology | U-MOS VIII-H |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 3.5 |
| Typical Rise Time (ns) | 4.5 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2800 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 14.8 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.8@4.5V|14.8@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1110@15V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 4@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0034 Ом |