TPH3R10AQM.LQ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070506659
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- U-MOS X-H
- Fall Time:
- 30 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
80-вольтовые N-канальные U-MOS X-H МОП-транзисторы 80-вольтовые N-канальные U-MOS X-H МОП-транзисторы Toshiba обеспечивают высокоскоростное переключение, небольшой заряд затвора и низкое рассеивание энергии. МОП-транзисторы U-MOS X-H обеспечивают отличное соотношение сопротивления стока и источника (RDS(ON)) x сопротивления передачи x вxодной емкости (C iss), что обеспечивает высокую проводимость и низкие потери на затворе. Уменьшенная выxодная емкость (C OSS) снижает выxодной заряд (Q OSS), повышая эффективность коммутации этиx устройств. Эти МОП-транзисторы подxодят для импульсныx регуляторов напряжения, драйверов двигателей и высокопроизводительныx преобразователей постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | U-MOS X-H |
| Fall Time: | 30 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 26 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 83 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 210 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 104 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |