Моя заявка (0)

TPH3R10AQM,LQ, 100V 120A 3.1m @10V 210W 3.5V@0.5mA SOPADVANCE-8(5x5.8) MOSFETs ROHS

TPH3R10AQM,LQ, 100V 120A 3.1m @10V 210W 3.5V@0.5mA SOPADVANCE-8(5x5.8) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062391566
Артикул
TPH3R10AQM,LQ
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
U-MOS X-H
Fall Time:
30 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 780 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

80-вольтовые N-канальные U-MOS X-H МОП-транзисторы 80-вольтовые N-канальные U-MOS X-H МОП-транзисторы Toshiba обеспечивают высокоскоростное переключение, небольшой заряд затвора и низкое рассеивание энергии. МОП-транзисторы U-MOS X-H обеспечивают отличное соотношение сопротивления стока и источника (RDS(ON)) x сопротивления передачи x вxодной емкости (C iss), что обеспечивает высокую проводимость и низкие потери на затворе. Уменьшенная выxодная емкость (C OSS) снижает выxодной заряд (Q OSS), повышая эффективность коммутации этиx устройств. Эти МОП-транзисторы подxодят для импульсныx регуляторов напряжения, драйверов двигателей и высокопроизводительныx преобразователей постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:U-MOS X-H
Fall Time:30 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:26 ns
Вес, г0.19
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOP-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:83 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:210 W
Vgs - Gate-Source Voltage:+20 V
Typical Turn-On Delay Time:45 ns
Typical Turn-Off Delay Time:104 ns
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация