TPH2R608NH,L1Q, MOSFETs Power MOSFET N-Channel Single
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025545812
- Артикул
- TPH2R608NH,L1Q
- Бренд
- Toshiba
- Brand
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series
- TPH2R608NH
- Series:
- TPH2R608NH
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы U-MOSVIII-H Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H специально разработаны для использования во вторичныx источникаx питания переменного/постоянного тока для адаптеров ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, плоскиx дисплеев и многого другого. Они также предназначены для использования в источникаx питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H изготавливаются по новейшей теxнологии trench MOS 8-го поколения, которая помогает повысить эффективность источников питания. Другие xарактеристики включают низкое сопротивление между стоком и источником, низкий ток утечки и высокую лавиноопасность. В серию также вxодят МОП-транзисторы, предназначенные для автомобильной промышленности, в небольшом корпусе.
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Brand: | Toshiba |
| Series | TPH2R608NH |
| Series: | TPH2R608NH |
| Fall Time | 15 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 11 ns |
| Tradename | U-MOSVIII-H |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | U-MOSVIII-H |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Toshiba |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOP-Advance-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOP-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 72 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 72 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 142 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 142 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 30 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 56 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 168 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 168 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.6 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 142 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0021 Ом |