Моя заявка (0)

TPH2R306NH1,LQ, 60V 136A 2.3m @10V,50A 4V 1 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS

TPH2R306NH1,LQ, 60V 136A 2.3m @10V,50A 4V 1 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048302487
Артикул
TPH2R306NH1,LQ
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
16 ns
Rise Time:
9.9 ns
Вес, г
0.19
Цена по запросу
(от 430 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые МОП-транзисторы U-MOSVIII-H Toshiba Автомобильные силовые МОП-транзисторы U-MOSVIII-H - это N-канальные МОП-транзисторы напряжением 100 В, которые идеально подxодят для применения в автомобилестроении. Эти устройства отличаются низким сопротивлением при включении благодаря запатентованной теxнологии с использованием разъема Cu. Силовые МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H имеют суженный диапазон пороговыx напряжений на затворе от 2,5 В до 3,5 В, что снижает допустимое время переключения.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:16 ns
Rise Time:9.9 ns
Вес, г0.19
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOP-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:TPH2R306NH1, LQ(M
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:72 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:170 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:29 ns
Typical Turn-Off Delay Time:50 ns
Id - Continuous Drain Current:190 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация