TPH1R712MD,L1Q(M, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 60 A, 0.00135 ohm, SOP, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017330323
- Артикул
- TPH1R712MD,L1Q(M
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.001
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 78Вт
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Рыночный спрос на этот продукт привел к увеличению сроков поставки. Сроки поставки могут меняться. Скидки на этот продукт не распространяются.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 78Вт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.00135Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Рассеиваемая Мощность | 78Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@1mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00135Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 78 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00135 Ом |