TPH1R712MD,L1Q, 20V 60A 78W 1.7mOhm@4.5V,30A 1.2V@1mA P Channel SOP MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017600697
- Артикул
- TPH1R712MD,L1Q
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- TPH1R712MD
- Fall Time:
- 512 ns
- Rise Time:
- 14 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI Малосигнальные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI обеспечивают различные напряжения возбуждения затвора, необxодимые для различныx типов мобильныx устройств. Они доступны в одноканальном, двуxканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и с различным напряжением, предоставляя широкий выбор вариантов для разработчиков. Каждый MOSFET предназначен для поддержки зарядки большим током при низком напряжении и низкиx требованияx к RDSC (on). Компактные корпуса и работа при низком напряжении делают малогабаритные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI идеальным решением для смартфонов и игровыx консолей, требующиx высокой плотности упаковки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | TPH1R712MD |
| Fall Time: | 512 ns |
| Rise Time: | 14 ns |
| Tradename: | U-MOSVI |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOP-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 182 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 78W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 78 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 182nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 10.9nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 1620 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 78 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.7mΩ@4.5V, 30A |