TPH1R204PL1,LQ, MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008599102
- Артикул
- TPH1R204PL1,LQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы U-MOSIX-H Power Toshiba Автомобильные МОП-транзисторы U-MOSIX-H Power - это N-канальные МОП-транзисторы напряжением 40 В, которые идеально подxодят для применения в автомобилестроении. Эти устройства выполнены в компактном корпусе с низким сопротивлением SOP Advance (WF). Они отличаются низким сопротивлением при включении, что позволяет снизить потери проводимости. Серия U-MOSIX-H также снижает уровень шума при переключении по сравнению с предыдущей серией устройств Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation (U-MOSIV).
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TPH1R204PL1, LQ(M |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 74 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 33 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 270 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.24мОм |