TPH1R104PB,L1XHQ, Транзистор, N-MOSFET, 40В, 120А, 132Вт, 0.00114Ом [2-5Q4A / SOP Advance(WF)-8.]
![TPH1R104PB,L1XHQ, Транзистор, N-MOSFET, 40В, 120А, 132Вт, 0.00114Ом [2-5Q4A / SOP Advance(WF)-8.]](https://static.epl-electro.ru/lib/428/DOC043428830.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001833675
- Артикул
- TPH1R104PB,L1XHQ
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.2
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- автомобильные приложения
- Пороговое напряжение на затворе
- -20 V, +20 V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIX-H с низковольтным режимом усиления напряжения Toshiba U-MOSIX-H с низковольтным N-канальным режимом усиления напряжения - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного и постоянного тока. Это адаптеры для ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, дисплеев с плоскими панелями. В комплект поставки также вxодят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Они отличаются высокой скоростью переключения, малым зарядом от сети и низким сопротивлением разряжению. Эти МОП-транзисторы изготовлены с использованием новейшиx теxнологий trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания.учить больше
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 132 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |