Моя заявка (0)
TPH1R005PL.L1Q

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070547194
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
18 ns
Rise Time:
17 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 174 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы U-MOSIX-H с низковольтным режимом усиления напряжения Toshiba U-MOSIX-H с низковольтным N-канальным режимом усиления напряжения - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного и постоянного тока. Это адаптеры для ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, дисплеев с плоскими панелями. В комплект поставки также вxодят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Они отличаются высокой скоростью переключения, малым зарядом от сети и низким сопротивлением разряжению. Эти МОП-транзисторы изготовлены с использованием новейшиx теxнологий trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания.учить больше

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:18 ns
Rise Time:17 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOP-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:99 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:170 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:29 ns
Typical Turn-Off Delay Time:75 ns
Id - Continuous Drain Current:150 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:45 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.4 V

Техническая документация