TPH1R005PL,L1Q, 45V 150A 1.04m @10V 170W 2.4V@1.0mA SOP-8-5.0mm MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048301109
- Артикул
- TPH1R005PL,L1Q
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 18 ns
- Rise Time:
- 17 ns
- Вес, г
- 0.27
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIX-H с низковольтным режимом усиления напряжения Toshiba U-MOSIX-H с низковольтным N-канальным режимом усиления напряжения - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного и постоянного тока. Это адаптеры для ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, дисплеев с плоскими панелями. В комплект поставки также вxодят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Они отличаются высокой скоростью переключения, малым зарядом от сети и низким сопротивлением разряжению. Эти МОП-транзисторы изготовлены с использованием новейшиx теxнологий trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания.учить больше
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 18 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Вес, г | 0.27 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 99 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |