TPH1110FNH.L1Q
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001939860
- Бренд
- Toshiba
- Series
- U-MOSVIII-H
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 610 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET X35PBF Мощность MOSFET транзистора95 ом250 В
Технические параметры
| Series | U-MOSVIII-H |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.85 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300ВµA |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 5A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W(Ta), 57W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance(5x5) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A(Ta) |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |