TPD65R600C, 650V 7A 560m-@10V,3A 63W 4V@250uA 4pF@50V N Channel 587pF@50V 14.5nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-252 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015819401
- Артикул
- TPD65R600C
- Бренд
- Unigroup Microelectronics
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.46
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 19,14 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В 7A 560 Мом при 10 В, 3A 63 Вт 4 В при 250uA N-канальный TO-252-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.46 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 63W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14.5nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 587pF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 7A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@50V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 560mΩ@10V, 3A |