Моя заявка (0)

TPCP8011,LF, MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ

TPCP8011,LF, MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004639249
Артикул
TPCP8011,LF
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.02
Серия:
TPCP8011
Структура
Power MOSFET
Технология:
Si
Цена по запросу
(от 540 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор PWR MOS PS-8 PD=1.96W F=1MHZ

Технические параметры

Вес, г0.02
Серия:TPCP8011
СтруктураPower MOSFET
Технология:Si
Вид монтажа:SMD/SMT
Время спада:4.34 ns
Особенностивысокочастотный
Тип продукта:MOSFET
Квалификация:AEC-Q101
Конфигурация:Single
Подкатегория:MOSFETs
Производитель:Toshiba
Торговая марка:Toshiba
Упаковка / блок:PS-8
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Qg - заряд затвора:11.8 nC
Время нарастания:5.37 ns
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Pd - рассеивание мощности:1.96 W
Id - непрерывный ток утечки:5 A
Коммерческое обозначение:U-MOSIV
Размер фабричной упаковки:3000
Vgs - напряжение затвор-исток:- 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:31.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:40 V
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 175 C
Типичное время задержки выключения:17.4 ns
Типичное время задержки при включении:12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.96
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация