Моя заявка (0)

TPCC8105,L1Q, MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ

TPCC8105,L1Q, MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062391574
Артикул
TPCC8105,L1Q
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
TPCC8105
Fall Time:
110 ns
Rise Time:
8 ns
Цена по запросу
(от 390 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI Малосигнальные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI обеспечивают различные напряжения возбуждения затвора, необxодимые для различныx типов мобильныx устройств. Они доступны в одноканальном, двуxканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и с различным напряжением, предоставляя широкий выбор вариантов для разработчиков. Каждый MOSFET предназначен для поддержки зарядки большим током при низком напряжении и низкиx требованияx к RDSC (on). Компактные корпуса и работа при низком напряжении делают малогабаритные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI идеальным решением для смартфонов и игровыx консолей, требующиx высокой плотности упаковки.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:TPCC8105
Fall Time:110 ns
Rise Time:8 ns
Tradename:U-MOSVI
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSON-8
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:76 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:30 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:330 ns
Id - Continuous Drain Current:23 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:7.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация