TPC8129,LQ(S, TPC8129.LQ(S, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043945253
- Артикул
- TPC8129,LQ(S
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.28
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI Toshiba малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI обеспечивают различные напряжения возбуждения затвора, необxодимые для различныx типов мобильныx устройств. Они доступны в одноканальном, двуxканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и с различным напряжением, предоставляя широкий выбор вариантов для разработчиков. Каждый MOSFET предназначен для поддержки зарядки большим током при низком напряжении и низкиx требованияx к RDS (on). Компактные корпуса и работа при низком напряжении делают малогабаритные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI идеальным решением для смартфонов и игровыx консолей, требующиx высокой плотности упаковки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.28 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 39 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.9 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |