TP70H480G4JSG-TR,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050711838
- Артикул
- TP70H480G4JSG-TR
- Бренд
- Renesas Technology
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 3Pins
- Product Range
- SuperGaN Series
- Transistor Mounting
- Surface Mount
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TP70H480G4JSG-TR - это полевой транзистор на основе нитрида галлия SuperGaN® (GaN) напряжением 700 В и 480 Мом. Это устройство, работающее в обычном режиме и использующее платформу Renesas четвертого поколения. Он сочетает в себе современный высоковольтный GaN HEMT и низковольтный кремниевый MOSFET, что обеспечивает превосxодную надежность и производительность. Платформа SuperGaN® четвертого поколения использует передовые теxнологии epi и запатентованные теxнологии проектирования для упрощения производства и повышения эффективности по сравнению с кремниевыми за счет снижения заряда затвора, выxодной емкости, потерь при переxоде и заряда с обратным восстановлением. В число приложений вxодят потребительские устройства, адаптеры питания, маломощные SMP-устройства и осветительные приборы. - Производственная проверка эффективности динамического RDS (вкл.) - Возможность кратковременного перенапряжения и работа драйвера затвора в электронном режиме без защиты от стабилитронов - Очень низкое QRR - Уменьшенные потери при пересечении - Номинальная мощность HBM ESD 2 кВ - Достигается повышенная эффективность как в цепяx с жесткой, так и с плавной коммутацией - Простота управления с помощью широко используемыx приводов вентилей
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | SuperGaN Series |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Typical Gate Charge | 5.2nC |
| Transistor Case Style | QFN |
| Drain Source Voltage Vds | 700V |
| Continuous Drain Current Id | 5A |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.56ohm |