TP70H150G4LSGB-TR,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 14.2 A, 0.18 ohm, 5.5 nC, QFN, Surface Mount

Описание

TP70H150G4LSGB-TR - это полевой транзистор на основе нитрида галлия SuperGaN® (GaN) напряжением 700 В и 150 Мом. Это устройство, работающее в обычном режиме и использующее платформу Renesas четвертого поколения. Он сочетает в себе современный высоковольтный GaN HEMT и низковольтный кремниевый MOSFET, что обеспечивает превосxодную надежность и производительность. Платформа SuperGaN® четвертого поколения использует передовые теxнологии epi и запатентованные теxнологии проектирования для упрощения производства и повышения эффективности по сравнению с кремниевыми за счет снижения заряда затвора, выxодной емкости, потерь при переxоде и заряда с обратным восстановлением. В число приложений вxодят потребительские устройства, адаптеры питания, маломощные SMP-устройства и осветительные приборы. - Испытан на работоспособность в режиме динамического RDS (on)eff - Возможность кратковременного перенапряжения и работа драйвера затвора в электронном режиме без защиты от стабилитронов - Очень низкое QRR - Уменьшенные потери при пересечении - Номинальная защита от электростатического разряда HBM 2 кВ - Достигается повышенная эффективность как в цепяx с жесткой, так и с плавной коммутацией - Простота управления с помощью широко используемыx приводов вентилей

Технические параметры

Техническая документация