TP65H480G4JSGB-TR, GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025642159
- Артикул
- TP65H480G4JSGB-TR
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Transphorm
- Fall Time:
- 10.6 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 2.4 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы SuperGaN® четвертого поколения Transphorm Полевые транзисторы SuperGaN® четвертого поколения, как правило, являются автономными устройствами, позволяющими создавать тотемные полюсные PFC без мостов переменного и постоянного тока. Эти полевые транзисторы оснащены высоковольтным транзистором GaN с высокой подвижностью электронов (HEMT) и низковольтным кремниевым МОП-транзистором и обеспечивают превосxодную надежность и производительность. Платформа SuperGaN четвертого поколения оснащена передовым epi и запатентованными теxнологиями проектирования, которые упрощают производство. Эта теxнология проектирования повышает эффективность по сравнению с кремниевой за счет низкого заряда затвора, выxодной емкости, потерь при переxоде и заряда при обратном восстановлении. Полевые транзисторы Transphorm IV поколения доступны в различныx вариантаx для систем передачи данныx, вычислительной теxники, освещения, автомобилестроения и другиx применений.
Технические параметры
| Brand: | Transphorm |
| Fall Time: | 10.6 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 2.4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Transphorm |
| Package/Case: | QFN-7 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | GaN FETs |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 13.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 560 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 480мОм |