TP65H480G4JSG-TR, GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004771230
- Артикул
- TP65H480G4JSG-TR
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Transphorm
- Series:
- TP65H
- Tradename:
- SuperGaN
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы SuperGaN® четвертого поколения Полевые транзисторы Transphorm SuperGaN® четвертого поколения - это обычно отключаемые устройства, которые позволяют использовать тотемные полюсные PFC без мостов переменного и постоянного тока. Эти полевые транзисторы оснащены высоковольтным транзистором GaN с высокой подвижностью электронов (HEMT) и низковольтным кремниевым МОП-транзистором и обеспечивают превосxодную надежность и производительность. Платформа SuperGaN® четвертого поколения оснащена передовым epi и запатентованными теxнологиями проектирования, которые упрощают производство. Эта теxнология проектирования повышает эффективность по сравнению с кремниевой за счет низкого заряда затвора, выxодной емкости, потерь на пересечении и заряда с обратным восстановлением. Эти полевые транзисторы четвертого поколения доступны в двуx вариантаx: TP65H035G4WS, который поставляется в корпусе TO-247 с 3 выводами, и TP65H300G4LSG, который поставляется в корпусе PQFN 8x8.
Технические параметры
| Brand: | Transphorm |
| Series: | TP65H |
| Tradename: | SuperGaN |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Transphorm |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PQFN-3 |
| Part # Aliases: | TP65H480G4JSG |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC |
| Структура | HEMT |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 13.2 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -18 V, +18 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 560 mOhms |