Моя заявка (0)

TP65H300G4JSGB-TR,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Surface Mount

TP65H300G4JSGB-TR,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046444467
Артикул
TP65H300G4JSGB-TR
Бренд
Renesas Technology
No. of Pins
8Pins
Вес, кг
1.12
Product Range
SuperGaN Series
Transistor Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 552 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

No. of Pins8Pins
Вес, кг1.12
Product RangeSuperGaN Series
Transistor MountingSurface Mount
Typical Gate Charge3.5nC
Transistor Case StylePQFN
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id9.2A
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.312ohm

Техническая документация