TP65H100G4PS,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050711834
- Артикул
- TP65H100G4PS
- Бренд
- Renesas Technology
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 3Pins
- Product Range
- SuperGaN Series
- Transistor Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 923 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | SuperGaN Series |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Typical Gate Charge | 14.4nC |
| Transistor Case Style | TO-220 |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Continuous Drain Current Id | 18.9A |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.11ohm |