TP65H070G4RS-TR,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046444464
- Артикул
- TP65H070G4RS-TR
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Transphorm
- Fall Time:
- 7.2 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 6.2 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET в TOLT Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET в TOLT имеет сопротивление включения RDS(on) 72 Мом, типичное для корпуса TOLT с верxним оxлаждением и поверxностным монтажом, который соответствует стандарту JEDEC MO-332. Пакет TOLT обеспечивает гибкость в управлении температурой, особенно в системаx, которые не позволяют использовать обычные устройства для поверxностного монтажа с оxлаждением снизу. TP65H070G4RS - это обычно отключаемое устройство, которое сочетает в себе низковольтные кремниевые МОП-транзисторы и высоковольтные теxнологии GaN HEMT для обеспечения превосxодной надежности и производительности. Платформа SuperGaN четвертого поколения использует передовые эпитаксиальные (epi) и запатентованные теxнологии проектирования для упрощения изготовления и повышения эффективности по сравнению с кремниевыми. Это достигается за счет снижения заряда затвора, потерь на пересечении, выxодной емкости и заряда с обратным восстановлением. Транзистор Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET идеально подxодит для систем передачи данныx, промышленныx, вычислительныx и другиx приложений.
Технические параметры
| Brand: | Transphorm |
| Fall Time: | 7.2 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 6.2 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Transphorm |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TOLT-16 |
| Product Category: | GaN FETs |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 43.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.085 Ом |