Моя заявка (0)

TP65H070G4LSGEA- TR,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Surface Mount

TP65H070G4LSGEA- TR,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068271417
Артикул
TP65H070G4LSGEA-TR
Бренд
Renesas Technology
Вес, г
0.001
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperGaN Series
Transistor Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 759 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Transistor MountingSurface Mount
Typical Gate Charge11.9nC
Transistor Case StylePQFN
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id29A
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.085ohm

Техническая документация