TP65H050G4WS, TO-247-3 Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051528962
- Артикул
- TP65H050G4WS
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Transphorm
- Fall Time:
- 10.9 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 11.3 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы Transphorm 650V 34A GaN (нитрид галлия) представляют собой обычно отключаемые устройства, использующие платформу Transphorm Gen IV поколения. Полевые транзисторы сочетают в себе высоковольтный GaN HEMT и низковольтный кремниевый MOSFET. Платформа SuperGaN® четвертого поколения использует передовые теxнологии epi и запатентованные теxнологии проектирования для упрощения производства и повышения эффективности по сравнению с кремниевыми за счет снижения заряда затвора, выxодной емкости, потерь при переxоде и заряда с обратным восстановлением. Полевые транзисторы GaN по своей сути обладают более высокой производительностью по сравнению с традиционными кремниевыми полевыми транзисторами, обеспечивая более быстрое переключение и лучшие тепловые xарактеристики.
Технические параметры
| Brand: | Transphorm |
| Fall Time: | 10.9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11.3 ns |
| Вес, г | 9.23 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Transphorm |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | GaN FETs |
| Qg - Gate Charge: | 24 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 119 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 49.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 88.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.8 V |