TP65H035G4WSQA,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046444455
- Артикул
- TP65H035G4WSQA
- Бренд
- Renesas Technology
- Вес, г
- 240
- No. of Pins
- 3Pins
- Product Range
- SuperGaN Series
- Qualification
- AEC-Q101
Цена по запросу
(от 4 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 240 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | SuperGaN Series |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Typical Gate Charge | 22nC |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Continuous Drain Current Id | 47.2A |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.041ohm |