TP5322K1-G, Транзистор P-MOSFET, полевой, -220В, -0,7А, 360мВт, SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062069128
- Артикул
- TP5322K1-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- SOT23-3
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.02
- Длина
- 2.9 mm
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 220V 12 Ohm 0.7A
Технические параметры
| Case | SOT23-3 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.9 mm |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 0.95 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 0.36W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 12Ω |
| Drain-source voltage | -220V |
| Pulsed drain current | -0.7A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время нарастания | 15 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 220 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mS |