TP2104N3-G-P003, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -175mA; Idm: -1A; 740mW; TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060244379
- Артикул
- TP2104N3-G-P003
- Бренд
- Microchip Technology
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.2
Цена по запросу
(от 250,21 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Технические параметры
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.2 |
| Длина | 5.21 mm |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 5 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 740mW(Ta) |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Время нарастания | 4 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 175mA(Tj) |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 740 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |