TP2104N3-G, MOSFETs 40V 6Ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005494600
- Артикул
- TP2104N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Type
- Power MOSFET
- Type:
- FET
- Width
- 4.06mm
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка DMOS-полевыx транзисторов Supertex с режимом усиления P-канала (обычно выключенныx) от Microchip подxодит для широкого спектра применений коммутации и усиления, требующиx низкого порогового напряжения, высокого напряжения пробоя, высокого вxодного сопротивления, низкой вxодной емкости и высокой скорости переключения.
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Type | Power MOSFET |
| Type: | FET |
| Width | 4.06mm |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | P |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Package Type | TO-92 |
| Polarisation | unipolar |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -175mA |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 0.74(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Elements | 1 |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 6Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 40(V) |
| Drain-source voltage | -40V |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Pulsed drain current | -1A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 740 mW |
| Continuous Drain Current | 0.175(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 740 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 175 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 150 mmho |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 175 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 Ohms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.74 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6Ом |