Моя заявка (0)

TP2104K1-G, Транзистор P-MOSFET, полевой, -40В, -0,6А, 360мВт, SOT23-3

TP2104K1-G, Транзистор P-MOSFET, полевой, -40В, -0,6А, 360мВт, SOT23-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062046852
Артикул
TP2104K1-G
Бренд
Microchip Technology
Тип
FET
Вес, г
0.03
Длина
2.9 mm
Channel Type
P Channel
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 40V 6Ohm

Технические параметры

ТипFET
Вес, г0.03
Длина2.9 mm
Channel TypeP Channel
Package TypeSOT-23
Высота0.95 mm
Ширина1.3 mm
Mounting TypeThrough Hole
ПродуктMOSFET Small Signal
Power Dissipation360мВт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum Drain Source Voltage40 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Время нарастания4 ns
Drain Source On State Resistance6Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока160мА
Рассеиваемая Мощность360мВт
Полярность транзистораP-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2В
Pd - рассеивание мощности360 mW
Id - непрерывный ток утечки160 mA
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-236AB
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения5 ns
Типичное время задержки при включении4 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)6Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.150 mS

Техническая документация