Моя заявка (0)

TP0610T-G, Power MOSFET, P Channel, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Surface Mount

TP0610T-G, Power MOSFET, P Channel, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000166541
Артикул
TP0610T-G
Бренд
Microchip Technology
Case
SOT23-3
Mounting
SMD
Вес, г
0.227
Channel Type
P Channel
Цена по запросу
(от 187 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseSOT23-3
MountingSMD
Вес, г0.227
Channel TypeP Channel
ManufacturerMICROCHIP TECHNOLOGY
Polarisationunipolar
КорпусTO-236AB
Kind of channelenhanced
Power Dissipation360мВт
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураP-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance10Ω
Drain-source voltage-60V
Pulsed drain current-0.05A
Особенности-
Drain Source On State Resistance10Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока120мА
Рассеиваемая Мощность360мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-236AB
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)10Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А236
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10 Ом

Техническая документация