TP0610K-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,185А; Idm: -800А; 0,14Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566057
- Артикул
- TP0610K-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Width
- 1.4mm
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
Цена по запросу
(от 9,69 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Width | 1.4mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.11 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT23-3 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.4(Max) |
| Package Height | 1.02(Max) |
| Package Length | 3.04(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.7 nC @ 15 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.7nC@15V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 23pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 185mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1.7@15V |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current | 185 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6О© @ 500mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.185 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 23@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6000@10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 185mA |
| Крутизна характеристики, S | 80 mS |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.185 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.14 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6Ω@10V, 500mA |