Моя заявка (0)

TP0604N3-G, Транзистор P-МОП, -40В, -2А, 740мВт, TO92

TP0604N3-G, Транзистор P-МОП, -40В, -2А, 740мВт, TO92

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062866927
Артикул
TP0604N3-G
Бренд
Microchip Technology
Case
TO92
Brand:
Microchip Technology
Mounting
THT
Fall Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 251 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO92
Brand:Microchip Technology
MountingTHT
Fall Time:6 ns
Packaging:Bulk
Rise Time:7 ns
Вес, г0.22
Technology:Si
Channel TypeP Channel
ManufacturerMICROCHIP TECHNOLOGY
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Microchip
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagebulk
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-92-3
Transistor Type:1 P-Channel
Power Dissipation740мВт
Product Category:MOSFET
Type of transistorP-MOSFET
Gate-source voltage±20V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance2Ω
Drain-source voltage-40V
Pulsed drain current-2A
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:740 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Id - Continuous Drain Current:430 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:400 mS
Drain Source On State Resistance1.5Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:2 Ohms
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Непрерывный Ток Стока430мА
Рассеиваемая Мощность740мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.4В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-92
Максимальная Рабочая Температура150 C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)1.5Ом

Техническая документация