TN5335K1-G, Транзистор N-МОП, полевой, 350В, 750мА, 360мВт, SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062425446
- Артикул
- TN5335K1-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Fall Time:
- 25 ns
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В N-канальном МОП-транзисторе Microchip с низкопороговым режимом усиления (обычно выключенном) используется вертикальная структура DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс производства на кремниевыx затвораx.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 25 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 350 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 125 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 350 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |