TN5325N8-G, Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002187238
- Артикул
- TN5325N8-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Fall Time:
- 15 ns
Цена по запросу
(от 95 ₽)
Минимальный заказ: 320 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор TN5325N8-G представляет собой низкопороговый транзистор с режимом усиления (обычно выключенный), в котором используется вертикальная структура DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевыx затворов. В результате такой комбинации получается устройство с возможностями биполярного управления питанием.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot-89 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 316 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.316 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |