TN5325N3-G, Power MOSFET, N Channel, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004139238
- Артикул
- TN5325N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Тип
- FET
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 0.001
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 250V 7Ohm
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Тип | FET |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 0.001 |
| Длина | 5.21 mm |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Drain current | 0.215A |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Упаковка | Bulk |
| Power dissipation | 0.74W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 7Ω |
| Drain-source voltage | 250V |
| Pulsed drain current | 0.8A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 15 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 15 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 740 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 215 mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.215 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7 Ом |