TN5325 Silicon N-Channel MOSFET, 150 mA, 250 V, 3-Pin TO-92 TN5325K1-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018821774
- Артикул
- TN5325K1-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- Series
- TN5325
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 151,46 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Низкопороговые транзисторы Microchip серии TN5325 с режимом усиления (обычно выключенные) используют вертикальную структуру DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевыx затворов.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Series | TN5325 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-92 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 150 mS |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |