TN2640N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 400В, 2А, 740мВт, TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048690155
- Артикул
- TN2640N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- Fall Time:
- 22 ns
- Packaging:
- Bulk
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TN2640N3-G - это высокопроизводительный микрочип, изготовленный компанией Microchip Technology. Этот усовершенствованный микрочип специально разработан для широкого спектра применений, такиx как бытовая электроника, автомобилестроение, промышленная автоматизация и многое другое. Он обладает исключительной вычислительной мощностью в сочетании с низким энергопотреблением, что делает его идеальным для устройств, чувствительныx к энергопотреблению. Благодаря встроенным функциям, таким как встроенная память, аналого-цифровой преобразователь и усовершенствованные интерфейсы связи, TN2640N3-G обеспечивает расширенную функциональность и простоту использования. Независимо от того, разрабатываете ли вы систему "умный дом", прецизионное измерительное устройство или ультрасовременный автомобильный блок управления, этот микрочип от Microchip Technology является идеальным решением, отвечающим вашим требованиям.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Fall Time: | 22 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |