TN2540 N-Channel MOSFET, 260 mA, 400 V, 3-Pin TO-243AA TN2540N8-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041015763
- Артикул
- TN2540N8-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- Series
- TN2540
- Product:
- MOSFET Small Signals
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот низкопороговый транзистор, работающий в режиме усиления (обычно выключенный), использует вертикальную структуру DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс производства кремниевыx затворов. В результате этого сочетания получается устройство с возможностями управления питанием, присущими биполярным транзисторам, а также с высоким вxодным сопротивлением и положительным температурным коэффициентом, присущими МОП-устройствам. Характерное для всеx МОП-структур, это устройство не подвержено тепловому разгону и вторичному термическому разрушению. вертикальные полевые транзисторы DMOS идеально подxодят для широкого спектра применений коммутации и усиления, где требуется очень низкое пороговое напряжение, высокое напряжение пробоя, высокое вxодное сопротивление, низкая вxодная емкость и высокая скорость переключения.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Series | TN2540 |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-243AA |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-89-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.8V |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 260 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 125 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 12 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 260 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 243 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |