N-Channel MOSFET, 400 V TO-92 TN2540N3-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030985284
- Артикул
- TN2540N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- Fall Time:
- 20 ns
- Packaging:
- Bulk
Цена по запросу
(от 384,81 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В N-канальном МОП-транзисторе Microchip с низкопороговым режимом усиления (обычно выключенном) используется вертикальная структура DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс производства на кремниевыx затвораx.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Fall Time: | 20 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-92 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-92-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 175 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.175 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |